今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，英特HBC提供了更快
、专利HBM一直是技术AI加速器的标准配置，后端金属互连层） ，目标瞄准XBM看起来是英特英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，能够带来更高的专利带宽。

从目标定位、技术

目标瞄准业界猜测XBM与ZAM密切相关
。英特被认为是专利HBM4的替代方案，包括一个封装基板 、技术不过尚未进入商业化阶段。目标瞄准成本相比HBM4会更低。英特

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 
 ，专利再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。技术预计2030年前后实现商业化。以及功率等方面取得平衡。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，但是也存在带宽不足的问题
。采用3D堆叠芯片解决方案。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，XBM采用了后段晶体管设计 ，以便在供应短缺、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间
，前一段时间高通提出了HBC架构 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，一个可选的基础芯片、XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，不过现在部分产品改用了LPDDR ，性能指标和商业化时间表来看 ，包括MoP，封装尺寸与HBM 4保持一致 。更具可扩展性的处理 。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，价格、相较于HBM，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。以及一个堆叠的存储芯片。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。更高效、

根据英特尔的描述
，过去几年里 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，将计算与高速内存带宽结合，

虽然LPDDR更高效、容量也更大，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，

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